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全國(guó)服務(wù)熱線：
400-0760-168
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28PIN，16K FLASH ROM,獨(dú)立128BEEPROM，1280B SRAM，26個(gè)GP I/O（26個(gè)大電流驅(qū)動(dòng)），3個(gè)16位Timer，12路12位ADC，3路8+2位PWM可輸出到6個(gè)口，硬件LCD，一路獨(dú)立硬件UART，一路硬件UART/SPI/IIC三選一通訊口，一路溫度傳感器，一路PGA.
工作電壓：2.4V~5.5V
工作溫度：-40 ~ 85℃
封裝：
SOP28/TSSOP28
內(nèi)核:1T 32位總線8051
Flash ROM：16KB Flash ROM（MOVC禁止尋址0000H~00FFH）
IAP：可code option成0K、1K或16K
EEPROM：128Byte，無(wú)需擦除，10萬(wàn)次寫(xiě)入，10年以上保存壽命
SRAM：內(nèi)部256Byte，外部1KB
系統(tǒng)時(shí)鐘: 內(nèi)建高頻 24MHz 振蕩器
l IC工作的系統(tǒng)時(shí)鐘,可通過(guò)編程器選擇設(shè)定為：
n 12MHz @2.9~5.5V
n 24MHz需求請(qǐng)聯(lián)系賽元微電子工程師
l 頻率誤差：跨越 (4.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境, 不超過(guò) ±1%。
l 內(nèi)置晶體振蕩器電路，可外接32k振蕩器，作為Base Timer 時(shí)鐘源，可喚醒STOP。
內(nèi)建低頻 128kHz LRC 振蕩器
l 頻率誤差：跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境, 頻率誤差不超過(guò) ±4%。
內(nèi)建2kHz 振蕩器
l 用作WDT的CLK Source
低電壓復(fù)位（LVR）：
l 復(fù)位電壓有4級(jí)可選：分別是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
l 缺省值為用戶(hù)燒寫(xiě)Code Option所選值
Flash燒寫(xiě)和仿真：
l 2線JTAG燒寫(xiě)和仿真接口
中斷（INT）：
l Timer0, Timer1, Timer2, INT0~2, ADC，PWM，UART，SSI，Base Timer共11個(gè)中斷源
l 外部中斷有3個(gè)中斷向量，共13個(gè)中斷口，全部可設(shè)上升沿、下降沿、雙沿中斷
l 兩級(jí)中斷優(yōu)先級(jí)可設(shè)
數(shù)字外圍：
l 最大26個(gè)雙向可獨(dú)立控制的 I/O口，可獨(dú)立設(shè)定上拉電阻
l P0、P2口源驅(qū)動(dòng)能力分四級(jí)控制
l 全部IO具有大灌電流驅(qū)動(dòng)能力（48mA）
l 11位WDT，可選時(shí)鐘分頻比
l 3個(gè)標(biāo)準(zhǔn) 80C51 定時(shí)器Timer0、Timer1和Timer2
l Timer2可實(shí)現(xiàn)Capture功能
l 3路共用周期、單獨(dú)可調(diào)占空比的 8+2位PWM，分別可切換至不同管腳輸出（共6個(gè)輸出）
l 5個(gè)IO可作為1/2 BIAS的LCD COM輸出
l 1個(gè)獨(dú)立UART通訊口
l 1個(gè)UART/SPI/IIC三選一通訊口SSI
模擬外圍：
l 1個(gè)可調(diào)增益運(yùn)算放大器PGA
n 輸出可直接接入ADC輸入
n 正負(fù)輸入端可互換
n 增益兩級(jí)可選： 20X、100X
l 1個(gè)溫度傳感器
l 12路12位±2LSB ADC
n 內(nèi)建基準(zhǔn)的 2.4V 參考電壓
n ADC的參考電壓有2種選擇, 分別是 VDD以及內(nèi)部2.4V
n 內(nèi)部一路ADC可直接測(cè)量VDD電壓, 一路可測(cè)量溫度傳感器電壓
n 可設(shè)ADC轉(zhuǎn)換完成中斷
省電模式:
l IDLE Mode，可由任何中斷喚醒
l STOP Mode，由 INT0~2和BaseTimer喚醒
